在一篇综合综述中，来自东吴大学、北京石墨烯研究所和厦门思兰先进化合物半导体有限公司的研究人员合作，对石墨烯作为氮化外延生长缓冲层的进展和潜在应用进行了系统的概述。
本文汇集了学术界、研究机构和半导体行业专业人士的观点，为半导体技术中的关键问题提出了解决方案。
石墨烯是一种二维材料，以其优异的电气和机械性能而闻名，因其在氮化半导体生长中的潜在应用而引起了人们的极大兴趣。尽管石墨烯在各种绝缘衬底上的化学气相沉积(CVD)生长取得了显著进展，但生产高质量的石墨烯并实现与iii族氮化物材料的最佳界面相容性仍然是该领域的主要挑战。
该综述深入探讨了转移石墨烯制造技术的瓶颈和无转移石墨烯生长的最新进展。讨论了在不同绝缘衬底上生长无转移石墨烯的最新进展及其在氮化物外延中的潜在应用。
本文进一步概述了无转移石墨烯生长技术在氮化外延领域的美好未来，并确定了必须克服的挑战，以充分利用其潜力。通过对现有文献的深入分析，本综述为石墨烯在氮化外延生长中的应用提供了技术和应用指南，鼓励了该领域的进一步研究。
本文的综述不仅为研究人员和从业者提供了有价值的信息，也为今后氮化外延生长领域的研究方向和技术创新指明了方向。
