SK海力士向英伟达提供的HBM3E和HBM AI存储芯片于当地时间29日在美国加州圣克拉拉举行的“TSMC 2024技术研讨会”上公开。SK海力士也参加了此次活动，旨在宣传与三星电子合作开发下一代HBM存储芯片。由SK海力士提供
公司预计，随着人工智能芯片需求的增长，下半年业绩将会更好
SK海力士8日表示，第一季度(1 ~ 3月)的营业利润比前一季度增长了700%以上，这主要得益于高带宽存储(HBM)芯片的强劲销售和存储半导体价格的上涨。
在1 - 3月期间，营业利润增长了734%，达到2.88万亿韩元(21亿美元)。同期销售额增长了10%，达到12.43万亿韩元，创下了历史新高。
这超出了市场预期的1.85万亿韩元左右的营业利润。三星电子将这一业绩归功于人工智能(AI)内存芯片HBM和NAND闪存芯片的价格上涨。这表明，三星电子已经走出了去年亏损7.7万亿韩元的低迷期。
SK海力士表示:“第一季度(1 ~ 3月)营收创下历史新高，营业利润创下2018年第一季度(1 ~ 3月)以来的第二高水平，在长期低迷之后进入了明显反弹阶段。”
SK海力士预计，随着人工智能(AI)内存需求的增加和传统内存需求的恢复，整个内存市场将稳步增长，并对未来几个季度的业务前景表示乐观。
该公司补充说，预计今年下半年的业绩将比4月至6月期间有所改善。
该公司首席财务官金宇铉(Kim Woo-hyun)在电话会议上对投资者表示:“与上半年相比，今年下半年市场将有所改善。”“在供应方面，供应商正在优先考虑确保HBM的生产能力。今年将扩大HBM等高端产品的生产。”
“如果下半年个人电脑、智能手机、服务器的需求出现好转，内存库存将继续减少。如果需求超出预期，也可能出现供应短缺。”
该公司指出，与DRAM相比，主要用于移动设备和数据中心服务器的NAND闪存芯片的需求复苏速度较慢。但对高价NAND的需求现在明显在增加。
“由于价格高于预期，特别是在企业固态硬盘(eSSD)产品的推动下，NAND已经转向盈利。有利的价格条件和我们有竞争力的固态硬盘需求增长预计将在第二季度出现。”
他补充说，随着人工智能市场的扩大，对大容量、低功耗NAND闪存的需求正在增加。
SK海力士为了满足HBM等新一代DRAM产品的需求，计划投资20万亿韩元左右，在忠北清州市新建M15X工厂。
该首席财务官表示:“我们相信，在清州建设的M15X工厂将在2025年底之前开业。”
此外，三星电子还表示，计划在今年第三季度之前完成12层HBM3E产品的开发。这一进展旨在通过与台积电的技术合作，实现从下一代HBM到各种定制产品的供应。
SK海力士DRAM市场负责人金圭铉表示:“第五代HBM (HBM3E)今年将集中供应8层的HBM3E。”
“今年，客户要求的HBM3E产品主要是八层的，”金说。“我们正准备在今年第三季度完成12层HBM3E产品的开发，以满足客户的要求，并在客户认证后，我们将准备好在明年需求开始增加时可靠地供应它们。”
